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NTGS3443T1G中文资料

NTGS3443T1G图片

NTGS3443T1G外观图

  • 大小:136.8KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: MOSFET, P; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; On Resistance Rds(on):58mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:-950mV; Transistor Case Style:SOT-323; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Package / Case:SOT-323; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:565pF @ 5V
  • 功率 - 最大:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:6-TSOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTGS3443T1GOSTR

NTGS3443T1G供应商

更新时间:2022-12-31 20:11:17
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